近日，福州高新区第三代半导体IDM基地熔城半导体项目完成清表工作，这也预示着项目正式进入施工阶段。
熔城半导体项目于今年4月23日在数字中国建设峰会上进项签约，项目总投资100亿元，分三期进行，一期项目预计年内开工。而从如今这个时间节点来看，可见项目按照计划推进。
据福州高新区官网介绍，该项目一期投资30亿元，将完成高端封测和模组制造基地建设;二期投资50亿元，将完成第三代半导体外延片建设;三期投资20亿元，将完成芯片制造基地建设。该项目的总体目标是在2027年前发展成为世界最高先进水平的第三代半导体IDM产业基地。基地包括世界首个2μ载板级SIP封测及模组商用量产线和各类生产、研发、创新及相关配套设施。
此外，通过两期建设，产业基地将从材料研发和设计、外延生长、芯片制造、封装测试到模组及器件供应等多角度全面形成第三代半导体产业链。据此前报道称，预计到2025年，福州高新区内将形成集群产业链协同优势。
福建熔城半导体有限公司主营业务为IC系统整体解决方案、模组制造、SIP先进封装。据福州高新区新闻报道，该公司拥有世界先进的5μ载板级系统级封装(SIP)工业量产线，用于对接世界最先进10纳米芯片设计和制造，并已开发完成对接7纳米芯片制造的全套2μ载板级SIP工业量产技术和工艺。
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